IGBT-ро пахш кунед
Бастаи пахши IGBT (IEGT)
| TYPE | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / мкФ | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT мΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/Вт | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2.2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2.8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2.8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3.1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3.2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2.2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2.1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Шарҳ:D- бо гқисми йод, А-бе қисми диод
Одатан, модулҳои тамоси IGBT дар фишанги коммутатори системаи интиқоли тағйирпазири DC истифода мешуданд.Маҷмӯи модул як паҳлӯи гармии як тараф аст.Иқтидори нерӯи дастгоҳ маҳдуд аст ва пайваста пайвастан мувофиқ нест, мӯҳлати ками кор дар ҳавои намак, ларзиши пасти зидди зарба ё хастагии гармӣ.
Дастгоҳи нави пресс-контакт-пресс-пакети IGBT на танҳо мушкилоти холӣ дар раванди кафшер, хастагии гармии маводи кафшер ва самаранокии пасти паҳншавии гармии яктарафаро пурра ҳал мекунад, балки муқовимати гармии байни ҷузъҳои гуногунро нест мекунад, андоза ва вазнро кам кунед.Ва ба таври назаррас баланд бардоштани самаранокии кор ва эътимоднокии дастгоҳи IGBT.Он барои қонеъ кардани талаботи пурқувват, баландшиддат ва эътимоднокии системаи тағйирпазири интиқоли DC хеле мувофиқ аст.
Иваз кардани навъи тамоси кафшер бо пресс-пакети IGBT ҳатмист.
Аз соли 2010, Runau Electronics барои таҳияи дастгоҳи нави пресс-пакети IGBT таҳия карда шуд ва дар соли 2013 ба истеҳсолот муваффақ шавад. Намоиш аз рӯи тахассуси миллӣ тасдиқ карда шуд ва дастоварди пешрафта ба анҷом расид.
Ҳоло мо метавонем силсилаи пресс-бастаи IGBT-и IC дар диапазони 600A то 3000A ва VCES диапазони аз 1700В то 6500В истеҳсол ва таъмин кунем.Дурнамои олиҷаноби пресс-пакети IGBT-и дар Чин истеҳсолшуда, ки дар Чин татбиқ карда мешавад, хеле интизор аст ва он пас аз қатораи баландсуръати электрикӣ боз як марҳилаи ҷаҳонии саноати электроникаи энергетикии Чин хоҳад шуд.
Муқаддимаи мухтасари режими маъмулӣ:
1. Ҳолати: Бастабандии IGBT CSG07E1700-ро пахш кунед
●Хусусиятҳои электрикӣ пас аз бастабандӣ ва пресскунӣ
● Барқарорпараллелпайвастдиод барқарорсозии зудхулоса кард
● Параметр:
Арзиши номиналӣ （25 ℃）
а.Шиддати эмитенти коллектор: VGES=1700（V）
б.Шиддати эмитенти дарвоза: VCES=±20（V）
в.Ҷараёни коллектор: IC=800（A）ICP=1600（A）
г.Пардохти қувваи коллектор: PC=4440（W）
д.Ҳарорати равзанаи корӣ: Tj=－20~125℃
f.Ҳарорати нигоҳдорӣ: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Қайд карда шуд: агар аз арзиши муқарраршуда зиёд бошад, дастгоҳ вайрон мешавад
ЭлектрикӣCхарактеристика, TC＝125℃，Rth (муқовимати гармиипайванд бапарванда)дохил карда нашудааст
а.Ҷараёни ихроҷи дарвоза: IGES=±5（μA）
б.Коллектори эмитенти блоки ҷорӣ ICES=250（mA）
в.Шиддати пуркунии коллектор эмитент: VCE(сат)=6(V)
г.Шиддати ҳадди ниҳоии эмитенти дарвоза: VGE(th)=10(V)
д.Вақти фурӯзон: Тон = 2.5μs
f.Вақти хомӯш: Toff = 3μs
2. Ҳолати: Бастабандии IGBT CSG10F2500-ро пахш кунед
●Хусусиятҳои электрикӣ пас аз бастабандӣ ва пресскунӣ
● Барқарорпараллелпайвастдиод барқарорсозии зудхулоса кард
● Параметр:
Арзиши номиналӣ （25 ℃）
а.Шиддати эмитенти коллекторӣ: VGES=2500（V）
б.Шиддати эмитенти дарвоза: VCES=±20（V）
в.Ҷараёни коллектор: IC=600（A）ICP=2000（A）
г.Пардохти қувваи коллектор: PC=4800（W）
д.Ҳарорати равзанаи корӣ: Tj=－40~125℃
f.Ҳарорати нигоҳдорӣ: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Қайд карда шуд: агар аз арзиши муқарраршуда зиёд бошад, дастгоҳ вайрон мешавад
ЭлектрикӣCхарактеристика, TC＝125℃，Rth (муқовимати гармиипайванд бапарванда)дохил карда нашудааст
а.Ҷараёни ихроҷи дарвоза: IGES=±15（μA）
б.Коллектори эмитенти блоки ҷорӣ ICES=25（mA）
в.Шиддати пуркунии коллектор эмитент: VCE(сат)=3,2 (V)
г.Шиддати ҳадди ниҳоии эмитенти дарвоза: VGE(th)=6.3(V)
д.Вақти фурӯзон: Тон = 3.2μs
f.Вақти хомӯш: Toff = 9.8μs
г.Шиддати пеши диод: VF = 3,2 В
ч.Вақти барқарорсозии баръакси диод: Trr = 1,0 мкс
3. Ҳолати: Бастабандии IGBT CSG10F4500-ро пахш кунед
●Хусусиятҳои электрикӣ пас аз бастабандӣ ва пресскунӣ
● Барқарорпараллелпайвастдиод барқарорсозии зудхулоса кард
● Параметр:
Арзиши номиналӣ （25 ℃）
а.Шиддати эмитенти коллектор: VGES=4500（V）
б.Шиддати эмитенти дарвоза: VCES=±20（V）
в.Ҷараёни коллектор: IC=600（A）ICP=2000（A）
г.Пардохти қувваи коллектор: PC=7700（W）
д.Ҳарорати равзанаи корӣ: Tj=－40~125℃
f.Ҳарорати нигоҳдорӣ: Tstg = -40 ~ 125 ℃
Қайд карда шуд: агар аз арзиши муқарраршуда зиёд бошад, дастгоҳ вайрон мешавад
ЭлектрикӣCхарактеристика, TC＝125℃，Rth (муқовимати гармиипайванд бапарванда)дохил карда нашудааст
а.Ҷараёни ихроҷи дарвоза: IGES=±15（μA）
б.Коллектори эмитенти блоки ҷорӣ ICES=50（mA）
в.Шиддати сершавии коллектор: VCE(сат)=3,9 (V)
г.Шиддати ҳадди ниҳоии эмитенти дарвоза: VGE(th)=5.2 (V)
д.Вақти фурӯзон: Тон = 5.5μs
f.Вақти хомӯш: Toff = 5,5μs
г.Шиддати пешбарии диод: VF = 3,8 В
ч.Вақти барқарорсозии баръакси диод: Trr = 2,0 мкс
Шарҳ:Пресс-пакт IGBT бартарият дар эътимоднокии баланди механикии дарозмуддат, муқовимати баланд ба осеб ва хусусиятҳои сохтори пайвасти пресс мебошад, барои истифода дар дастгоҳи силсила қулай аст ва дар муқоиса бо тиристори анъанавии GTO, IGBT усули интиқоли шиддат аст. .Аз ин рӯ, он осон ба кор, бехатар ва доираи васеи фаъолият аст.